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APT15GP60S

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  • 型號
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  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT15GP60S
    APT15GP60S

    APT15GP60S

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質：營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • D3PAK，TO-268

  • 25+

  • -

  • 國產品牌，替代進口

  • APT15GP60S
    APT15GP60S

    APT15GP60S

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 6000

  • APT

  • 模塊

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
APT15GP60S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOS 7 IGBT
APT15GP60S 技術參數
  • APT15GP60KG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:130μJ（開），121μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/29ns 測試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT15GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:130μJ（開），121μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/29ns 測試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT15GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:130μJ（開），120μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/29ns 測試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT15GP60BDLG 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:不適用於新設計 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:130μJ（開），121μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/29ns 測試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT15GN120KG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 功率 - 最大值:195W 開關能量:410μJ（開），950μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:90nC 25°C 時 Td（開/關）值:10ns/150ns 測試條件:800V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:30 APT15S20KCTG APT15S20KG APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW APT1608PYW APT1608QBC/D APT1608QBC/G APT1608SECK
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