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參數資料
型號: IRFCF30
元件分類: JFETs
英文描述: 900 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數: 1/1頁
文件大?。?/td> 29K
代理商: IRFCF30
相關PDF資料
PDF描述
IRFCG30 1000 V, 5.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFCC30 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFD123 1.1 A, 80 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-001AN
IRFF213 1.8 A, 150 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
IRFF223 3 A, 150 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFCG20B 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 1000V - Bulk
IRFD 024PBF 制造商:Vishay BCcomponents 功能描述:Bulk
IRFD 110PBF 制造商:Vishay 功能描述:Bulk
IRFD010 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD010PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube