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STGWT28IH120DF

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    STGWT28IH120DF

    STGWT28IH120DF

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-3P

  • 22+

  • -
  • 每一片都來(lái)自原廠,正品保證

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • 25 A, 1200 V, TRENCH GATE FIELD STOP IGBT - Bulk
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • 25 A, 1200 V, trench gate field stop IGBT
STGWT28IH120DF 技術(shù)參數(shù)
  • STGWT20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:167W 開(kāi)關(guān)能量:200μJ(開(kāi)),130μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:38ns/149ns 測(cè)試條件:400V,20A,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO3P-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:167W 開(kāi)關(guān)能量:200μJ(開(kāi)),130μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:38ns/149ns 測(cè)試條件:400V,20A,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):40ns 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT20IH125DF 功能描述:IGBT 1250V 40A 259W TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1250V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,15A 功率 - 最大值:259W 開(kāi)關(guān)能量:410μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:68nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:-/106ns 測(cè)試條件:600V,15A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT20H65FB 功能描述:IGBT 650V 40A 168W TO3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:168W 開(kāi)關(guān)能量:77μJ(開(kāi)),170μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:120nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:30ns/139ns 測(cè)試條件:400V,20A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:167W 開(kāi)關(guān)能量:209μJ(開(kāi)),261μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:115nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:42.5ns/177ns 測(cè)試條件:400V,20A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):90ns 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT40H65FB STGWT40HP65FB STGWT40V60DF STGWT40V60DLF STGWT60H60DLFB STGWT60H65DFB STGWT60H65FB STGWT60V60DF STGWT60V60DLF STGWT80H65DFB STGWT80H65FB STGWT80V60DF STGWT80V60F STGY40NC60VD STGY50NC60WD STGY80H65DFB STGYA120M65DF2 STH110N10F7-2
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