品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD3680 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.00
品牌:臺灣震陽 | 型號:Z2314 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 跨導:55 | 最大漏極電流:2.6A | 極間電容:373
≥1000 個
¥0.25
品牌:臺灣震陽 | 型號:Z2307 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 跨導:70 | 最大漏極電流:-3.6A | 開啟電壓:12
≥1000 個
¥0.23
品牌:臺灣震陽 | 型號:Z2306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體
≥1000 個
¥0.23
品牌:臺灣震陽 | 型號:Z2302/Z2300/Z2301/Z2305/Z2306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體
≥1000 個
¥0.10
品牌:臺灣震陽 | 型號:Z2301/Z2300/Z2302/Z2305/Z2306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體
≥1 個
¥0.10
品牌:臺灣震陽 | 型號:2N7002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體
≥1000 個
¥0.88
品牌:臺灣震陽 | 型號:ZXP151C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:5.1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:522.3
≥1000 個
¥0.35
品牌:新潔能 | 型號:55H12 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:7 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0
≥1000 個
¥2.00
類型:其他IC | 品牌:ANPEC/茂達 | 型號:APM2302AAC-TRL | 封裝:SOT23-3 | 批號:2011+ | 是否提供加工定制:否
≥3000 PCS
¥0.15
品牌:國產原裝 | 型號:SI2307 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:10 | 跨導:10 | 開啟電壓:-30 | 夾斷電壓:-30 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:10
3-8 K
¥190.00
≥9 K
¥180.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FAN1117AS18X-NL | 溝道類型:其他 | 類型:穩壓IC | 批號:12+ | 封裝:SOT-223
≥50 個
¥2.00
品牌:BCD/AZ | 型號:AZ1117D-2.5TRE1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 類型:穩壓IC | 批號:2013+ | 封裝:TO-252
≥1 K
¥450.00
品牌:ST/意法 | 型號:STP60NF03L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:TO-220
50-499 個
¥0.68
500-999 個
¥0.58
≥1000 個
¥0.42
品牌:IR/國際整流器 | 型號:SI4410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10000 | 極間電容:106 | 最大耗散功率:2500
2500-9999 個
¥0.65
≥10000 個
¥0.62
品牌:ST/意法 | 型號:STS10N3LH5 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:11600 | 極間電容:35 | 最大耗散功率:3600
≥2500 個
¥0.51
≥3000 PCS
¥0.20