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品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3415，AO3415L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR2161 IR2175 IR4427 IR4428 IR2010 IR2112 IR2113 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:LMP-C/阻抗變換 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1

品牌:浩暢 | 型號:8205A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AO | 型號:mos | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB3207PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:KIA可易亞 | 型號:KIA17N10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLR2905 | 功率:5 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝:SOT-252 | 批號:12NPB | 最大漏極電流:5 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數:5

品牌:龍晶微 | 型號:AO3400 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:龍晶微 | 型號:4435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數:5 | 低頻跨導:5

品牌:MPS | 型號:MP1542DK-LF-Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

類型:其他IC | 品牌:臺產GT | 型號:GT2300 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝:SOT-23 | 批號:13+ | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

品牌:新潔能 | 型號:75N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:2 | 夾斷電壓:600

品牌:比亞迪（BYD） | 型號:BF8205 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:3000 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:220-950