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類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRFP250N | 封裝:TO-247 | 批號:14年

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

應用范圍:功率 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250 IRFP250N | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250MPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF250 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 主要參數:ID=30A， VDSS=200V， RDS(on)=75.0mΩ， PD=214W

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP244 ， IRFP250M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | N/A:N/A

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 主要參數:200V 30A 150W

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFP250 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4332PBF IRFP4332 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:HEMT高電子遷移率

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 參數:200V 30A