品牌:IR 國際整流半導體 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1
品牌:PHI IR ST SEC | 型號:IRFP250 | 發貨期限:1 | 封裝:TO-220 TO-3P T0-251 T0-126
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP150,IRFP250,IRFP260,IRFP450,IRFP460 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥5.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250NPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導:1 | 開啟電壓:200 | 夾斷電壓:200 | 極間電容:1
≥100 個
¥3.40
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:場效應管 | 批號:13+ | 封裝:TO-247
≥5 個
¥6.00
類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRFP250N | 封裝:TO-3P | 批號:10+
≥10 PCS
¥4.30
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥1.00
類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRFP250MPBF | 封裝:TO-247 | 批號:2011
≥10 PCS
¥3.30
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP240/IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 1:1
≥1 個
¥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
100-999 個
¥1.20
1000-9999 個
¥1.10
≥10000 個
¥1.00
品牌:IR | 型號:IRFP250NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥5 個
¥3.00
品牌:IR | 型號:IRFP250MPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥5 個
¥3.00
應用范圍:放大 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
100-499 千克
¥3.00
500-999 千克
¥2.80
≥1000 千克
¥2.75
品牌:IR | 型號:IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | -:-
≥10 個
¥3.30
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4768 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥13.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 跨導:10 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:10
≥1 個
¥4.10