品牌:進(jìn)口品牌 | 型號(hào):5N120BND | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道,N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營(yíng)銷(xiāo)方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
¥0.95
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):SBP13007A 13009 13003 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 低頻噪聲系數(shù):0.25 | 極間電容:.
≥100 個(gè)
¥0.30
品牌:MOTOROLA/摩托羅拉 | 型號(hào):MTP3055 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 截止頻率fT:/
≥500 個(gè)
¥0.40
品牌:SAK日本三肯 | 型號(hào):C4542 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):n | 最大漏極電流:n | 開(kāi)啟電壓:n | 夾斷電壓:n | 低頻噪聲系數(shù):n | 極間電容:n | 最大耗散功率:n
≥100 個(gè)
¥0.50
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):6R165P/6R199/6R175G-160 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:/
≥100 個(gè)
¥0.10
品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):TT2148/TT2144/TT2158 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥1.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD8796/FDD8896 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:/
≥1000 個(gè)
¥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):4N60 FQPF4N60C | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥94 個(gè)
¥0.37
品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):D1403,C4621 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:/
≥100 個(gè)
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SSH10N90A,10N90 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):/ | 開(kāi)啟電壓:900 | 夾斷電壓:900
≥1000 個(gè)
¥1.25
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 跨導(dǎo):vgs | 開(kāi)啟電壓:600 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數(shù):0.25 | 極間電容:. | 最大耗散功率:82w
≥100 個(gè)
¥0.21
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF630/IRF640/IRF730/IFR540 IRF740 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 跨導(dǎo):vgs | 開(kāi)啟電壓:4 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數(shù):0.25 | 極間電容:. | 最大耗散功率:82w
≥100 個(gè)
¥0.18