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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP3N80/FQP3N80C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:3A | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:/ | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否 | 應用范圍:開關

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD8796/FDD8896 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:/

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA35N40，FQA30N40 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:直插型 | 應用范圍:功率

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA30N40，FQA35N40，FDA50N50 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 截止頻率fT:/

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 FQPF4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:5M0380 | 集電極最大耗散功率PCM:da | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:平面型 | 材料:硅(Si) | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSH10N90A，10N90 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:/ | 開啟電壓:900 | 夾斷電壓:900

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G30N60B3/G30N60B3D/G30N60C3/G30N60C3D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 擊穿電壓VCBO:600 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 截止頻率fT:/

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:13005 13007 13009 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:1