品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF9540NSTRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥3.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF2807ZSPBF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體
≥1 個
¥3.20
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR2110 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型
≥1 個
¥0.10
類型:驅(qū)動IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR2110STRPBF | 功率:3 | 驅(qū)動芯片類型:4 | 針腳數(shù):16 | 用途:手表 | 封裝:SMD | 批號:2013 | 最大漏極電流:40 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 低頻噪聲系數(shù):50
10-99 個
¥5.50
100-999 個
¥4.80
≥1000 個
¥4.20
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1404S.IRF1404 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:直插型 | 應用范圍:功率
≥2 個
¥4.20
類型:穩(wěn)壓IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1404PBF | 封裝:DIP/SMD/TO220 | 批號:10/11+ | 是否提供加工定制:否
≥10 PCS
¥2.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:HFA08SD60S | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SIT靜電感應
≥1 個
¥2.04
品牌:IR/國際整流器 | 型號:F1404S | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥1 個
¥5.00
類型:通信IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR21844S | 電源電壓:標準 | 功率:標準 | 頻率:標準 | 用途:功放 | 封裝:SMD | 批號:12+
≥1 PCS
¥3.20
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFH5300TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.01
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR2104 /IR2104S /IRF2104STRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:IR2104 | 封裝:SOP8
≥100 個
¥2.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR5410TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1-999 個
¥2.20
≥1000 個
¥1.95
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4610TRLPBF IRFS4610 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個
¥3.60
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7842 IRF7842TRPBF F7842 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝:SOP8
≥10 個
¥2.60