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類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20N60S5 | 用途:A/寬頻帶放大 | 最大漏極電流:20 | 跨導:0.2 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:600 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:700 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:0.1 | 極間電容:0.5 | 最大耗散功率:220

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20N60C3 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:20 | 跨導:12 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:700 | 低頻噪聲系數:12 | 極間電容:0.5 | 最大耗散功率:220

類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:06N03LA | 封裝:TO-252 | 最大漏極電流:* | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數:/

類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPD06N03LA | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPD09N03LA | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:07N60C3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道