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參數資料
| 型號： | 2SK2329L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SK2329L |
2SK2329(L), 2SK2329(S)
4
40
30
20
10
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
100
20
10
50
2
1
5
0.2
0.1
0.5
0.5
1
2
5
10
20
50
1ms
DCOpeaion(Tc=25°C
100μs
10μs
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Ta = 25 °C
20
16
12
8
4
0
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
2
4
6
8
10
V = 1.5 V
2 V
10 V
5 V
4 V
2.5 V
20
16
12
8
4
0
Gate to Source Voltage V (V)
GS
D
D
Typical Transfer Characteristics
1
2
3
4
5
V = 10 V
Pulse Test
Tc = 75°C
25°C
–25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2373 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2393 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2394 | N-Channel Junction Silicon FET for Low-Noise HF Amplifier Applications(低噪聲 HF放大器應用的N溝道結型場效應管) |
| 2SK2395 | N-Channel Junction Silicon FET for Low-Noise HF Amplifier Applications(低噪聲 HF放大器應用的N溝道結型場效應管) |
| 2SK2418 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2329-L(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK2329S | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| 2SK2330(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262VAR |
| 2SK2330(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263VAR |
| 2SK2330L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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