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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2329L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SK2329L |
2SK2329(L), 2SK2329(S)
7
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V (V)
Pulse Test
R
D
V = 0, –5 V
5 V
Reverse Drain Current vs.
Souece to Drain Voltage
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
D = 1
0.5
0.2
0.01
0.02
0.1
0.05
1sho Puse
Tc = 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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