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- STW25NM50N.STW25NM60N ST.場(chǎng)效應(yīng)
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW25NM50N，STW25NM60N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 材料:N-FET硅N溝道 | 1:2
- ≥1 個(gè)
  
  ￥7.00
- 詢價(jià)
- STQ2NK60ZR-AP場(chǎng)效應(yīng)/Mos管，ST
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STQ2NK60ZR-AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
- ≥5 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- STQ2HNK60ZR-AP場(chǎng)效應(yīng)/Mos管，ST
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STQ2HNK60ZR-AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
- ≥5 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- STW30NM60D2
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW30NM60D2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥6.00
- 詢價(jià)
- STD3NK60Z-2
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD3NK60Z-2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- ST品牌場(chǎng)效應(yīng)管STW24N60M2
  
  類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW24N60M2 | 功率:原廠規(guī)格 | 用途:其他 | 封裝:TO247 | 批號(hào):新年份環(huán)保無鉛
- 10-99 PCS
  
  ￥10.00
- ≥100 PCS
  
  ￥9.70
- 詢價(jià)
- 3N60
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):3N60 | 溝道類型:其他 | 用途:. | 備注:. | 產(chǎn)品類型:TO-252/TO-251 | 是否進(jìn)口:是 | 主要參數(shù):. | 是否提供加工定制:否
- 詢價(jià)
- ST貼片場(chǎng)效應(yīng)管STD2HNK60Z D2HNK60Z
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD2HNK60Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:標(biāo)準(zhǔn)
- ≥10 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- STB11NM60 650V 11A N溝道 Power MOSFET管 D2PAK封裝
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STB11NM60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:11000 | 跨導(dǎo):0 | 開啟電壓:650 | 夾斷電壓:0 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0 | 最大耗散功率:160W
- 詢價(jià)
- STB10NK60Z 650V 10A N溝道 Power MOSFET管 D2PAK封裝
  
  類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):STB10NK60Z | 功率:- | 用途:L/功率放大 | 封裝:TO-263 | 批號(hào):2012 | 最大漏極電流:10000 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數(shù):0
- 詢價(jià)
- 2N60場(chǎng)效應(yīng)管 ST場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道貼片場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD60NF55D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：貼片mos管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 st貼片場(chǎng)效應(yīng)管
- 10000-49999 個(gè)
  
  ￥0.65
- ≥50000 個(gè)
  
  ￥0.58
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口場(chǎng)效應(yīng)管2N60 1N60
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):2N60 1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:標(biāo)準(zhǔn)
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場(chǎng)效應(yīng)管 1n60場(chǎng)效應(yīng)管 2n60拆機(jī)
- 500-999 個(gè)
  
  ￥0.35
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- STB65NM60N /STB65NM60N TO-220/FP/247 D2PAK I2PAK
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STB65NM60N /STB65NM60N TO-220/FP/247 D2PAK I2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SB肖特基勢(shì)壘柵 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 控制方式:其他 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥1 個(gè)
  
  ￥1.80
- 詢價(jià)
- STGP10NB60S/FP STGB10NB60S TO-220/FP D2PAKST品牌
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STGP10NB60S/FP STGB10NB60S TO-220/FP D2PAK | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 控制方式:其他 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥100000 個(gè)
  
  ￥3.80
- 詢價(jià)
- AOS萬代場(chǎng)效應(yīng)管MOS管STD2NB60-1
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD2NB60-1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:2600 | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:600 | 最大耗散功率:50000
- 詢價(jià)
- STD2NC60,長電-ST先科-UTC-IR-Vishay-ST意法
  
  類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD2NC60 | 用途:S/開關(guān) | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:1 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.60
- 詢價(jià)
- STD2HNK60Z-1
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD2HNK60Z-1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥3.50
- 詢價(jià)