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類型:其他IC | 品牌:RENESAS/瑞薩 | 型號:2SK2925STR K2925 2SK2925 | 功率:. | 用途:UNI/一般用途 | 封裝:SOT252 | 批號:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET)

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK940，K940 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | .:.

品牌:FUJI/富士通 | 型號:FS14SM-18A G40N60UFD 2SK2371 2SK2677 2SK2197 2SK2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 跨導:薄利多銷 量大價優 | 開啟電壓:實體店現貨經營 | 夾斷電壓:貨源充足 質量保證 | 低頻噪聲系數:IRF841 IRF540 | 極間電容:IRFZ24N IRFZ34N

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK520 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SK2113 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:2SK2463 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK2054 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:3A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應用范圍:其他

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SK1848 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK4145 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK1697EY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TRUESEMI | 型號:2SK2865/TSU2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SK3291 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.3W | 最大漏極電流ID:1.6A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SK3292-TD-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK3435 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | ID:80A | VDSS:60V | RDS(ON):14mΩ

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2312 2SK2312 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 擊穿電壓VCBO:60V | 集電極最大允許電流ICM:45A | 封裝形式:直插型

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2544 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:1 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1