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共21件相關(guān)產(chǎn)品
  1. 2n60場效應(yīng)管

    • MOS NCE7560K75V60A,TO252D2-PAPK封裝

      品牌:NCE (新潔能) | 型號:NCE7560K | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥2500 個

      ￥0.01

    • 詢 價

    • 華晶MOS管CS2N60

      品牌:華晶 | 型號:CS2N60 TO-252 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀

    • 100-499 個

      ￥0.60

    • ≥500 個

      ￥0.50

    • 詢 價

    • 2N60L-B/2N60L-B-TM3-T

      品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L-B-TM3-T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-251

    • ≥10 個

      ￥0.60

    • 詢 價

    • 場效應(yīng)管 FQPF2N60C TO-220F

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

    • ≥100 個

      ￥2.00

    • 詢 價

    • 場效應(yīng)管 MOS管 HX 2N60 TO-220

      品牌:HX | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:IGBT絕緣柵比極

    • ≥1000 個

      ￥1.25

    • 詢 價

    • LED驅(qū)動電路專用2A MOS管2N60

      品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

    • 2500-24999 個

      ￥0.78

    • ≥25000 個

      ￥0.77

    • 詢 價

    • SL場效應(yīng)管SVF2N60

      品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

    • 詢 價

    • STB11NM60 650V 11A N溝道 Power MOSFET管 D2PAK封裝

      品牌:ST/意法 | 型號:STB11NM60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:11000 | 跨導(dǎo):0 | 開啟電壓:650 | 夾斷電壓:0 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0 | 最大耗散功率:160W

    • 詢 價

    • TSU2N60M TRUESEMI/信安 TO-251 進(jìn)口

      品牌:TRUESEMI/信安 | 型號:TSU2N60M | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥100 個

      ￥0.69

    • 詢 價

    • 場效應(yīng)管 U1N60 U2N60

      品牌:WG . 韓國 | 型號:U2N60.U1N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥50 個

      ￥0.10

    • 詢 價

    • 2N60L-B UTC/友順 TO-252

      品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L-B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道

    • ≥2500 個

      ￥0.70

    • 詢 價

    • 仙童FCB11N60 11N60 TO-263 D2PAK TO-220 封裝

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCB11N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:11 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

    • ≥1 K

      ￥1.00

    • 詢 價

    • UTCTO-220FMOS管2N60L

      品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

    • 1000-9999 個

      ￥1.00

    • ≥10000 個

      ￥0.88

    • 詢 價

    • IPA60R380E6英飛凌場效應(yīng)

      品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPA60R380E6 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:11 | 跨導(dǎo):12 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:12 | 低頻噪聲系數(shù):11 | 極間電容:12 | 最大耗散功率:11

    • ≥1 個

      ￥2.00

    • 詢 價

    • 場效應(yīng)管2N60L

      品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

    • ≥2500 個

      ￥0.75

    • 詢 價

    • UTC2A MOS管2N60L

      品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

    • 1000-3999 個

      ￥0.84

    • ≥4000 個

      ￥0.80

    • 詢 價

    • UTCMOS管TO-220 2N60L

      品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

    • 1000-1999 個

      ￥0.98

    • ≥2000 個

      ￥0.97

    • 詢 價