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產品類型:肖特基管 | 是否進口:是 | 品牌:PANJIT/強茂 | 型號:SD880S | 材料:鍺(Ge) | 備注:工作范圍-50到+125° | 用途:典型結電容400PF | 主要參數:正向電壓 0.85V | 加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:S8050D S8550D S9012H S9013H | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:110 | 擊穿電壓VCBO:25 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:10 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:S8050D S8550D S9012H S9013H | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:10 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝

品牌:進口 | 型號:250V100UF | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:高頻消振 | 外形:圓柱形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±20（%） | 耐壓值:250（V） | 等效串聯電阻(ESR):0（mΩ） | 標稱容量:0（uF） | 損耗:0 | 額定電壓:0（V） | 絕緣電阻:0（mΩ） | 溫度系數:105

品牌:其他 | 型號:LJC12A3-5-Z/BX.BY | 反應頻率:DC：500 AC 2 20 | 額定電壓:D：10-30V AC 2 90-250V（V） | 額定電流:DC二線：≤1mA ???DC三線：≤0.5mA ???AC二線：≤1mA（A） | 檢測距離:GE（mm） | 產品認證:XV | 加工定制:是

類型:驅動IC | 品牌:FOCALTECH | 型號:FT5206GE1 | 封裝:QFN40 | 批號:2014+

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FJP13009-2 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:供應逆變器場效應管IRFP064NPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:進口 | 型號:250V100UF | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:高頻消振 | 外形:圓柱形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±20（%） | 耐壓值:250（V） | 等效串聯電阻(ESR):0（mΩ） | 標稱容量:0（uF） | 損耗:0 | 額定電壓:0（V） | 絕緣電阻:0（mΩ） | 溫度系數:105

品牌:IR/國際整流器 | 型號:供應IR場效應管IRL2203NPBF原裝現貨 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

加工定制:否 | 型號:97F6947RC HV35-205002-H3Y | 品牌:GE/通用電氣 | 名稱:GE 美標400W鈉燈電容

品牌:Yamatake/山武 | 型號:FL7M-3J6HWT-CN05，FL7M-3K6H-CN03Z | 類型:電容式接近開關 | 反應頻率:1 | 額定電壓:1（V） | 額定電流:1（A） | 檢測距離:1（mm） | 產品認證:CE | 加工定制:否

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGBC30UD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

加工定制:是 | 品牌:萬和 | 型號:UNIK5000 | 類型:電容式壓力變送器 | 測量介質:液體 氣體 | 測量范圍:-0.1-100MPa（kPa） | 精度等級:0.25 | 輸出信號:4-20（mA） | 防爆等級:本安 | 防護等級:IP65 | 電源電壓:24（V） | 接口尺寸:M20（mm）

產品類型:可變電容 | 是否進口:是 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BB148 | 材料:鍺(Ge) | 封裝:SOD323 | 工作溫度范圍:-55°C 到 +125°C（℃） | 功耗:1 | 針腳數:2 | 批號:13+PB | 電容:36.8PF

品牌:ST/意法 | 型號:STP40NF12 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導:5 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4108 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:20000 | 跨導:10 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:3000

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740ALPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:120 | 跨導:60 | 開啟電壓:300 | 夾斷電壓:120 | 低頻噪聲系數:60 | 極間電容:100 | 最大耗散功率:20

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF140 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:120 | 跨導:60 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:120 | 低頻噪聲系數:60 | 極間電容:120 | 最大耗散功率:20

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7413PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:120 | 跨導:60 | 開啟電壓:400 | 夾斷電壓:120 | 低頻噪聲系數:30 | 極間電容:120 | 最大耗散功率:20