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品牌:其他 | 型號:STP8NK80ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導:5

品牌:其他 | 型號:SI4565，4565 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5 | 低頻跨導:55

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:PJ1117CW | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:原廠規(guī)格 | 開啟電壓:原廠規(guī)格 | 夾斷電壓:原廠規(guī)格 | 低頻噪聲系數(shù):原廠規(guī)格 | 極間電容:原廠規(guī)格 | 最大耗散功率:原廠規(guī)格

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP10N03L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:原廠規(guī)格 | 開啟電壓:原廠規(guī)格 | 夾斷電壓:原廠規(guī)格 | 低頻噪聲系數(shù):原廠規(guī)格 | 極間電容:原廠規(guī)格 | 最大耗散功率:原廠規(guī)格

品牌:ST/意法 | 型號:BD681 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:原廠規(guī)格 | 開啟電壓:原廠規(guī)格 | 夾斷電壓:原廠規(guī)格 | 低頻噪聲系數(shù):原廠規(guī)格 | 極間電容:原廠規(guī)格 | 最大耗散功率:原廠規(guī)格

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC5198 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 開啟電壓:1 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

應用范圍:功率 | 品牌:GE通用 | 型號:ABE119 | 材料:硅 | 封裝形式:塑料封裝 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝

品牌:進口 | 型號:250V100UF | 介質(zhì)材料:鋁電解 | 應用范圍:高頻消振 | 外形:圓柱形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±20（%） | 耐壓值:250（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):0（mΩ） | 標稱容量:0（uF） | 損耗:0 | 額定電壓:0（V） | 絕緣電阻:0（mΩ） | 溫度系數(shù):105

品牌:新華雄 | 型號:MMP 474/630-GE P15 FM | 介質(zhì)材料:有機薄膜 | 應用范圍:高壓 | 外形:管形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.002（%） | 耐壓值:630（V）

類型:其他IC | 品牌:MT | 型號:MT1389GE | 功率:N/A | 封裝:N/A | 批號:N/A

品牌:士蘭微 | 型號:SVF10N65F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4108 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:20000 | 跨導:10 | 開啟電壓:500

品牌:ISI英國英特錫爾 | 型號:ZVN3306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:CGH172T250V2L，PSU46030，DCMC472T250BC2B | 型號:PSU37830，DCMC603U050BC2B，3188GE552T250AJA2 | 介質(zhì)材料:陶瓷(瓷介) | 應用范圍:旁路 | 外形:圓片形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:微調(diào) | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.002（%） | 耐壓值:2（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):50（mΩ） | 標稱容量:110（uF） | 損耗:低 | 額定電壓:220（V） | 絕緣電阻:70（mΩ） | 溫度系數(shù):1

品牌:HARRIS/哈里斯 | 型號:RFP40N10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:MAGNACHIP | 型號:SLF4N65C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FSC | 型號:FDD2570 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Omron/歐姆龍 | 型號:E2C-GE4A | 類型:電容式接近開關 | 反應頻率:1KHZ | 額定電壓:12-24（V） | 額定電流:0.8MA（A） | 檢測距離:1.8（mm） | 產(chǎn)品認證:ce | 加工定制:否

應用范圍:差分 | 品牌:GR | 型號:250V224J | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插

品牌:如上 | 型號:如上 | 種類:插頭/插座 | 應用范圍:集成電路IC