品牌:FSC | 型號:FDP047N10 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個
¥6.30
品牌:SILAN | 型號:SVD10N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 千克
¥2.00
品牌:ST/意法 | 型號:STS5NF60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥1.15
品牌:賽福 | 型號:焊機(jī)電容CBB16 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:中和 | 外形:圓柱形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻
≥100 個
¥25.00
品牌:NS/國半 | 型號:場效應(yīng)管P7N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥2000 個
¥0.28
品牌:APEC富鼎 | 型號:AP9575AGH | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.10
品牌:ON/安森美 | 型號:TC58NVG2S3ETA00 TC58NYG2S3ETA00 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 批號:12+ | NAND閃速存儲器:NAND閃速存儲器 | 封裝:TSOP48
≥100 個
¥0.10
品牌:ON/安森美 | 型號:MBRF20200CTG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
品牌:其他 | 型號:NCE6050K | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個
¥0.65
品牌:ST/意法 | 型號:SPA15N60CFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
10-99 個
¥7.00
100-999 個
¥6.82
≥1000 個
¥6.02
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PC40SPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
10-99 個
¥11.00
100-999 個
¥10.50
≥1000 個
¥9.85
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PF50WDPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
10-99 個
¥17.00
100-999 個
¥16.50
≥1000 個
¥15.60
品牌:其他 | 型號:CJ16(19)-32-11 | 額定電壓:690V -1000V(V) | 額定電流:500A(A) | 機(jī)械壽命:10萬(萬次) | 電壽命:fe(萬次) | 產(chǎn)品認(rèn)證:CCC | 適用范圍:GE | 加工定制:是 | 型號報價:523
≥1 個
¥523.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:6.3v470UF | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:6x7
≥100 PCS
¥0.20
品牌:Sanyo/三洋 | 型號:TF222B-B5A-TL-E | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 千克
¥1.00
品牌:APEC富鼎 | 型號:AP2306GN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.30
品牌:西子電器 | 型號:BSMJ0.4-35-3 | 額定電壓:ge(V) | 超行程:xc | 工作行程:sd | 額定電流:ew(A) | 結(jié)構(gòu)類型:直動式 | 開關(guān)類型:常開 | 應(yīng)用范圍:ge | 產(chǎn)品認(rèn)證:CCC
≥100 只
¥627.00
品牌:其他 | 型號:LJC12A3-5-Z/BX.BY | 反應(yīng)頻率:DC:500 AC 2 20 | 額定電壓:D:10-30V AC 2 90-250V(V) | 額定電流:DC二線:≤1mA ???DC三線:≤0.5mA ???AC二線:≤1mA(A) | 檢測距離:GE(mm) | 產(chǎn)品認(rèn)證:XV | 加工定制:是
≥1 個
¥21.00
品牌:FUJI/富士通 | 型號:FMC16N60E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5
≥1 個
¥0.10