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品牌:其他 | 型號:LM1881 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5 | 低頻跨導(dǎo):5

產(chǎn)品類型:其他 | 是否進口:否 | 品牌:SAMSUNG、TDK、村田、風華 | 型號:0603 102k 50v | 材料:鍺(Ge) | 封裝:1 | 工作溫度范圍:1（℃） | 功耗:1 | 針腳數(shù):1 | 批號:1

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPC8179TB-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:GE/通用電氣 | 型號:41UF | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:圓柱形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 耐壓值:500（V） | 額定電壓:220（V） | 溫度系數(shù):-25ºC-+85ºC | 標稱容量:41

品牌:GE/通用電氣 | 型號:28UF | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:圓柱形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 耐壓值:500（V） | 標稱容量:28（uF） | 額定電壓:220（V） | 溫度系數(shù):-25ºC-+85ºC

品牌:GE/通用電氣 | 型號:13uF | 介質(zhì)材料:鋁電解 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 耐壓值:500（V） | 標稱容量:13（uF） | 額定電壓:220（V） | 溫度系數(shù):-25ºC-+85ºC

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:CET/華瑞 | 型號:CEP603AL | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:10 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:100 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 夾斷電壓:10 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 低頻噪聲系數(shù):10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:10

品牌:英飛凌 | 型號:IPP100N04S2-04 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):5

品牌:萬代 | 型號:AOD254 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):12 | 低頻跨導(dǎo):8

品牌:ST/意法 | 型號:STP80NF03L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數(shù):標準 | 極間電容:標準

品牌:ST/意法 | 型號:STW25NM60N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數(shù):標準 | 極間電容:標準

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:FQP4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數(shù):標準 | 極間電容:標準

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:DSE130-06 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

產(chǎn)品類型:其他 | 是否進口:否 | 品牌:SAMSUNG、TDK、村田、風華 | 型號:0402 102k 50V | 材料:鍺(Ge) | 封裝:1 | 工作溫度范圍:1（℃） | 功耗:1 | 針腳數(shù):1 | 批號:1

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:HCF4001M013TR | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 最大漏極電流:100 | 跨導(dǎo):11 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:10 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:100 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 低頻噪聲系數(shù):11 | 極間電容:1100 | 最大耗散功率:100

品牌:SHINDENGEN/新電元 | 型號:C4663 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:10 | 跨導(dǎo):10 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:10 | 低頻噪聲系數(shù):10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:10

產(chǎn)品類型:光敏二極管 | 是否進口:否 | 品牌:立林 | 型號:4748 | 材料:鍺(Ge)

品牌:FAIRCHILD | 型號:FDMS7608S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

應(yīng)用范圍:磁敏 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:6TPE680M，6TPE680MI | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SMD

應(yīng)用范圍:磁敏 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2R5TPD1000M6，2R5TPD1000M5 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SMD