應用范圍:磁敏 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:6TPE680M,6TPE680MI | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SMD
應用范圍:磁敏 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2R5TPD1000M6,2R5TPD1000M5 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SMD
品牌:AISHI | 型號:200V15UF | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:高壓 | 外形:圓柱形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:低頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±20(%) | 耐壓值:200(V) | 等效串聯電阻(ESR):其他(mΩ) | 損耗:其他 | 額定電壓:200(V) | 絕緣電阻:其他(mΩ) | 溫度系數:105
10-499 PCS
¥0.50
500-999 PCS
¥0.40
≥1000 PCS
¥0.35
品牌:SIEMENS/西門子 | 型號:3RG6123-3GE00 | 類型:電容式接近開關 | 反應頻率:50 | 額定電壓:10-65(V) | 額定電流:300(A) | 檢測距離:5(mm) | 產品認證:CE | 物料編號:01 | 加工定制:是
≥1 個
¥15.40
加工定制:否 | 型號:GE 27L6089 | 品牌:EMERON
≥1 個
¥572.00
品牌:APEC | 型號:AP9977GH | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個
¥0.80
品牌:ST/意法 | 型號:TYN840RG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
≥50 個
¥1.70
產品類型:可變電容 | 是否進口:是 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BAT18 | 材料:鍺(Ge) | 封裝:SOT-23 | 工作溫度范圍:-55°C 到 +125°C(℃) | 針腳數:3 | 批號:最新批號
≥3000 PCS
¥0.01
品牌:其他 | 型號:273E534G1 | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:補償 | 外形:圓柱形
品牌:其他 | 型號:273E291G1 | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:補償 | 外形:圓柱形
品牌:其他 | 型號:273A1813G1SSZE1 | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:補償 | 外形:圓柱形
品牌:其他 | 型號:273A1853G1AFRA1 | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:補償 | 外形:圓柱形
品牌:其他 | 型號:271884 | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:補償 | 外形:圓柱形
品牌:其他 | 型號:26HU5 | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:補償 | 外形:圓柱形
品牌:其他 | 型號:26LX6 | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:補償 | 外形:圓柱形
品牌:其他 | 型號:26F7002 | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:補償 | 外形:圓柱形
品牌:其他 | 型號:26F6912 | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:補償 | 外形:圓柱形
品牌:其他 | 型號:26F6746FC | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:補償 | 外形:圓柱形
品牌:其他 | 型號:26F6732FC | 介質材料:鋁電解 | 應用范圍:補償 | 外形:圓柱形
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTP05N100P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
10-99 個
¥5.00
100-999 個
¥3.00
≥1000 個
¥2.40