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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 TO-220 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 關斷速度:普通 | 極數:二極 | 封裝材料:金屬封裝

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640 IRF740 IRF840 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640 IRF740 IRF840 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640 IRF740 IRF840 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 最大漏極電流:/ | 低頻噪聲系數:// | 封裝:TO-220

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF740PBF | 種類:光電耦合器 | 溝道類型:其他

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 用途:MW/微波 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF730 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:3.5 | 低頻噪聲系數:0.1 | 極間電容:0.1

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 | 種類:絕緣柵(MOSFET)，絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導電方式:增強型，增強型 | 用途:A/寬頻帶放大，A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插，CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道，N-FET硅N溝道 | 擊穿電壓VCBO:500 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 截止頻率fT:-

品牌:IR/國際整流器 | 型號:拆機場效應管IRF640，IRF740， | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:?

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 IRF630N IRF630A IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 跨導:vgs | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數:0.25 | 極間電容:. | 最大耗散功率:82w