品牌:VISHAY/IR | 型號:IRF730N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個
¥1.45
類型:穩壓IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:MOSFET F740S F740 TO263-A | 封裝:DIP/SOP | 批號:2012
≥100 片
¥4.20
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF740PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:最新 | 封裝:TO220
≥1 個
¥1.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740STRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740PBF | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740STRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥50 個
¥1.50
≥1 個
¥3.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF730N/IRF740N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 類型:其他IC | 批號:14+ | 封裝:TO220
≥500 個
¥1.65
品牌:HX | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:HEMT高電子遷移率
≥1 K
¥2.50
≥1 個
¥0.01
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740PBF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 產品類型:其他 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:高反壓
≥1000 個
¥2.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740PBF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 產品類型:其他 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:高反壓
≥1000 個
¥2.20
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥1.40
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.50
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 封裝:TO-220 | 批號:12+
≥1 平方米
¥1.00
≥1000 個
¥1.20
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740PBF | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝:TO-220
≥10 個
¥3.50
品牌:FSC/IR | 型號:IRF740B IRF740N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號:13+ | 產品類型:其他 | 封裝:TO-220
≥100 個
¥1.00
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF740PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥1.41