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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFRC20 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:22 | 擊穿電壓VCBO:22 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:22 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:22 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:放大

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:HFA15TB60 | 用途:電子琴 | 封裝:TO-220 | 批號:拆機

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP150N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 類型:其他IC | 批號:08+ | 封裝:TO-3P

種類:可控硅(晶閘管) | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:40TPS12

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ46N | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:50 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:合金型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:60 | 應用范圍:功率

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP450 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ46 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ30 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC40U IRG4PC40U IRGPC40U | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGPS40B120UD GPS40B120UD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP140 IRFP9140 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPC60 IRFPC60LC | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPC60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ44N | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:* | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:* | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:合金型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:功率

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI9630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 屬性:ID=-4.3A VDS=-200V PNP/GDS PD=35W

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLR2905 | 功率:5 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝:SOT-252 | 批號:12NPB | 最大漏極電流:5 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數:5

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數:5 | 低頻跨導:5

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740S | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.5 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數:0.001 | 極間電容:2600 | 最大耗散功率:1900

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740.IRF730 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFL3303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道