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- 電子進(jìn)口4N60場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導(dǎo):n | 最大漏極電流:n | 開(kāi)啟電壓:n | 夾斷電壓:n | 低頻噪聲系數(shù):n | 極間電容:n | 最大耗散功率:n
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 4n60場(chǎng)效應(yīng)管 4n60拆機(jī)
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.47
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)IRFP450
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP450 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- 100-999 個(gè)
  
  ￥2.00
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.80
- 詢價(jià)
- K1120 場(chǎng)效應(yīng)管 mos 沈陽(yáng)先科電子
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K1120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 150W:TO-3P | 8A:1000V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- 1-4 個(gè)
  
  ￥4.50
- 5-9 個(gè)
  
  ￥3.80
- ≥10 個(gè)
  
  ￥3.50
- 詢價(jià)
- 2.50K2996 場(chǎng)效應(yīng)管 mos 沈陽(yáng)先科電子
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K2996 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 10A:600V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥10 個(gè)
  
  ￥2.50
- 詢價(jià)
- K2761 場(chǎng)效應(yīng)管 mos 沈陽(yáng)先科電子
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K2761 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 10A:600V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥10 個(gè)
  
  ￥2.50
- 詢價(jià)
- K3067 場(chǎng)效應(yīng)管 mos 沈陽(yáng)先科電子
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K3067 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 3A:600V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥20 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- K3568 場(chǎng)效應(yīng)管 mos 液晶電視用沈陽(yáng)先科電子
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K3568 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 12A:500V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管
- 20-19 個(gè)
  
  ￥2.38
- ≥20 個(gè)
  
  ￥2.50
- 詢價(jià)
- K2847 mos 場(chǎng)效應(yīng)管焊機(jī)用沈陽(yáng)先科電子
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K2847 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 8A:900V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管
- 20-49 個(gè)
  
  ￥3.14
- 50-19 個(gè)
  
  ￥2.66
- 20-49 個(gè)
  
  ￥3.30
- 詢價(jià)
- SSH70N10A 場(chǎng)效應(yīng)管 mos 100% 沈陽(yáng)先科電子
  
  品牌:Samsung/三星 | 型號(hào):SSH70N10A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥10 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢價(jià)
- K525 場(chǎng)效應(yīng)管 mos 沈陽(yáng)先科電子
  
  品牌:東芝 | 型號(hào):K525 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥10 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- K386 5元場(chǎng)效應(yīng)管 mos 沈陽(yáng)先科電子
  
  品牌:東芝 | 型號(hào):K386 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥5 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 10N60 SSS10N60 進(jìn)口新源興電子
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 10N60:10A 600V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 10n60場(chǎng)效應(yīng)管 10n60拆機(jī)
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- 創(chuàng)盟電子原字進(jìn)口場(chǎng)效應(yīng)管10N60
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):10N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | N:N
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 10n60場(chǎng)效應(yīng)管 10n60拆機(jī)
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.90
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 FQP2N60 2N60 進(jìn)口新源興電子
  
  品牌:品牌：進(jìn)口和國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):FQP2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | FQP2N60:2A 600V 品牌：進(jìn)口和國(guó)產(chǎn)
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 2n60場(chǎng)效應(yīng)管 2n60拆機(jī)
- 10-499 個(gè)
  
  ￥0.40
- 500-999 個(gè)
  
  ￥0.37
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- 大電流場(chǎng)效應(yīng)MOS管SSF7509
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SSF7509 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場(chǎng)效應(yīng) 大電流mos管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢價(jià)
- 大電流MOS場(chǎng)效應(yīng)管IRL3303
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFL3303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管大電流場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 大電流MOS場(chǎng)效應(yīng)管IRL3705、IRL3705N
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFL3705N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管大電流場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.85
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 11N80 20N60,10N60,8N60
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):11N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 8n60場(chǎng)效應(yīng)管 10n60場(chǎng)效應(yīng)管 20n60場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥100 千克
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管75N75 75NF75
  
  品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):75N75 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 75n75場(chǎng)效應(yīng)管 75nf75場(chǎng)效應(yīng)管 75nf75拆機(jī)
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口場(chǎng)效應(yīng)管 IRF630 TYN1225 P75NF75 IRF640 IRF740
  
  品牌:進(jìn)口拆機(jī)件 | 型號(hào):IRF630 TYN1225 IRF640 IRF740 IRF840 IRF730 IRF830 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:10 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:5
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： p75nf75場(chǎng)效應(yīng)管 irf640拆機(jī) irf630拆機(jī)
- ≥10 個(gè)
  
  ￥0.03
- 詢價(jià)