品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20N60C3 20N60S5 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 20N60C3:20A 600V
100-499 個(gè)
¥1.10
500-999 個(gè)
¥1.05
≥1000 個(gè)
¥1.00
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:47N60C3 47N60CFD | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
¥0.45
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:10N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | N:N
≥100 個(gè)
¥0.90
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:054NE8N 045N10N 039N04L 015N04N 08CN10N 16CN10N 03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
1-9 個(gè)
¥2.80
10-999 個(gè)
¥2.00
≥1000 個(gè)
¥1.50
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:07N60C3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.65
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H30R1602 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥100 個(gè)
¥3.80
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20N60C3 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 20a:600v
≥10 個(gè)
¥1.00
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SPP21N50C3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):33 | 開啟電壓:33 | 夾斷電壓:33
≥1 個(gè)
¥6.50
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:16N50C3 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:A | 截止頻率fT:MHZ
≥1000 個(gè)
¥0.85
種類:場效應(yīng)管 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20N60S5
≥50 PCS
¥1.90