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品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20N60C3 20N60S5 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 20N60C3:20A 600V

品牌:NCE | 型號:NCE80H11 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | -:-

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:B834 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI9630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 屬性:ID=-4.3A VDS=-200V PNP/GDS PD=35W

品牌:進口拆機 | 型號:IRF40A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:20N60，11N60 10N60 8N60 7N60 6N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:22 | 跨導:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22 | 低頻噪聲系數:22 | 極間電容:22 | 最大耗散功率:22

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRFS630A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:P40N03 P40NF03L 40T03GP 40N03GP 40N03P | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K3683 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HRF3205 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD442 D442 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號:2014+ | 封裝:TO-252