品牌:OGFD | 型號:G22 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.01
品牌:OGFD | 型號:1601 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型
≥50 個
¥0.01
品牌:GTM | 型號:G3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥200
¥0.15
≥100
¥2.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR2110 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
1-99 個
¥4.90
≥100 個
¥4.82
品牌:ST/意法 | 型號:STP10NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET),絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道,N溝道 | 導電方式:增強型,增強型 | 用途:CC/恒流,CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插,CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道,N-FET硅N溝道
≥1 個
¥8.00
品牌:AO | 型號:AOB418 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-9 個
¥0.30
10-99 個
¥0.20
≥100 個
¥0.10
品牌:NCE(新潔能) | 型號:NCE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥2500 千克
¥0.10
品牌:NCE(新潔能) | 型號:NCE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥2500 千克
¥0.10
品牌:NCE(新潔能) | 型號:NCE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥2500 千克
¥0.10
品牌:NCE(新潔能) | 型號:NCE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥2500 千克
¥0.10
品牌:NCE(新潔能) | 型號:NCE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥2500 千克
¥0.10
品牌:NCE(新潔能) | 型號:NCE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥2500 千克
¥0.10
品牌:NCE(新潔能) | 型號:NCE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥2500 千克
¥0.10
品牌:NCE(新潔能) | 型號:NCE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥2500 千克
¥0.10
品牌:NCE(新潔能) | 型號:NCE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥2500 千克
¥0.10
品牌:NCE(新潔能) | 型號:NCE1216 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥2500 千克
¥0.10