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類型:通信IC | 品牌:ME | 型號:ME9926 | 功率:詳詢 | 封裝:SOP8 | 批號:2013+

品牌:APM/茂達 | 型號:APM9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:低壓場效應管 | 批號:15+ | 封裝:SOP-8

品牌:NCE（新潔能） | 型號:NCE9926 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NCE（新潔能） | 型號:NCE2305A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:ME （微盟） | 型號:ME6206L33PG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DIFF/差分放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 功率:10 | 封裝:SOT89-3

品牌:ME （微盟） | 型號:ME6206K33M3G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 類型:其他IC | 功率:10 | 封裝:SOT23-3

類型:穩壓IC | 品牌:MATSUKI | 型號:ME4542 ME4544 ME4946 | 功率:100 | 用途:電腦 | 封裝:SO8 SOT | 批號:12+ | 松木低壓MOS管:松木低壓MOS管

品牌:NCE | 型號:NCE6020 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:NS/國半 | 型號:LM1117MPX-2.5 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:功放 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:在線咨詢 | 封裝形式:貼片 | 封裝:SOT-223

應用范圍:功率 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB38N20D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 用途:A/寬頻帶放大 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

品牌:ST/意法 | 型號:STPS30L40CT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:NCE（新潔能） | 型號:NCE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:NCE（新潔能） | 型號:NCE8205B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NCE（新潔能） | 型號:NCE2312A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:AO | 型號:A03403 | 功率:3-18W | 用途:線性 | 封裝:SOT23-3 | 批號:2014

品牌:KWAIDA奎達 | 型號:KD9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝:SOP-8

品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP4501GM （N+P） | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:WILLSEMI | 型號:WNM2016-3/TR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP80NF10 STP60NF10 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 材料:N-FET硅N溝道