品牌:WILLSEMI/韋爾 | 型號:WPM2341-3/TR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-2999 個
¥0.26
3000-29999 個
¥0.25
≥30000 個
¥0.24
品牌:HL | 型號:HD1H15A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道
2500-9999 千克
¥0.40
≥10000 千克
¥0.38
品牌:博明 | 型號:SI2302 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 K
¥50.00
品牌:NCE | 型號:NCE6050K | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-9999 個
¥0.76
≥10000 個
¥0.68
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3407A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3423 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
類型:其他IC | 品牌:APM/CEM | 型號:4953A | 功率:大功率 | 封裝:SOP8 | 批號:最新
2500-49999 PCS
¥0.26
50000-99999 PCS
¥0.25
≥100000 PCS
¥0.22
品牌:LT/凌特 | 型號:LT1085CM | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個
¥8.00
品牌:瑞信 | 型號:MI2303 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.18
品牌:Sharp/夏普 | 型號:PQ20WZ5U | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個
¥3.00
品牌:百力微 | 型號:BM2300 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.15
品牌:司坦森/ST | 型號:STS4435A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.22
品牌:臺灣矽睿/SW | 型號:SWF2300 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.15
品牌:CET/華瑞 | 型號:CES2305 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.15
品牌:AXELite/亞瑟來特 | 型號:AM4953DP | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.23
品牌:ME/松木 | 型號:ME2306 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.15