品牌:ROHM | 型號:MOSFET，場效應(yīng)管，IRF630RL02 200V 9A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
品牌:IR | 型號:MOSFET，場效應(yīng)管，IRF630S 200V 9A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
品牌:Fairchild | 型號:MOSFET，場效應(yīng)管，IRL610A，IRF630B 200V 9A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥3000 個
￥0.25
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:.
≥1000 個
￥0.50