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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N/IRF640N/IRF640NSTRR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 1:1

品牌:ROHM | 型號:MOSFET，場效應管，IRF630RL02 200V 9A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR | 型號:MOSFET，場效應管，IRF630S  200V 9A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:AMS美國微系統 | 型號:IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:+- | 低頻噪聲系數:+- | 低頻跨導:+-

品牌:HX | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導體

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630MPF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:9000 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NSTRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 IRF630PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體