国产精品成人一区二区三区-精品久久久久久久免费人妻-亚洲色精品aⅴ一区区三区-国产在线aaa片一区二区99

品牌:IR，F(xiàn)airchild，ST | 型號:IRF630，IRF634，IRF640，IRF650 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:2.5 | 夾斷電壓:250 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630A | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220AB | 發(fā)貨期限:3 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220AB | 類別:直插 | 發(fā)貨期限:3 | 應用范圍:開關(guān)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630A | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220AB | 類別:直插 | 發(fā)貨期限:3 | 應用范圍:開關(guān)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRFS630 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:350 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630A★★信譽，無可替代的財富!供應IC三極管全新原裝正品★★ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 夾斷電壓:200V

品牌:Fairchild | 型號:MOSFET，場效應管，IRL610A，IRF630B  200V 9A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率

品牌:仙童/FAIRCHILD | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(SI)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRFS630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/IR | 型號:IRF630B/630N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF640B | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 截止頻率fT:0

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740PBF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數(shù):標準 | 極間電容:標準

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:9000 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.