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  1. irf630場效應管

    • FSC進口三極管FQPF7N80 FDP8030 RFP70N06 FQPF17P06 IRF654B

      品牌:CS52015-3.3V FQPF4N90C RFP25N06 FQPF6N60 | 型號:BD238-S FQPF5N60C RFP3055LE HUF75332P3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:STP24NF10 BTB12-600BWRG STB11NM60A-1 TYN825RG | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | SKP10N60A:FDPF12N50FT SB1060CT IRF630B FQPF22N30 | FQP70N08:FDP6676 RHRP3060 HUF75645P3 FEP16JTA | 芯數:2SD1803 RFP2N10L HUF75333P3 D44H11

    • 詢 價

    • IR國際整流器MOSFET場效應管IRF630NS

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • 詢 價

    • 100%IRFS630B IRF630 TO-220F

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRFS630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥1000 個

      ￥1.10

    • 詢 價

    • 場效應管IRF640[進口]

      品牌:IR ST | 型號:IRF640 IRF630 IRF540 IRF530 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:.. | 開啟電壓:... | 夾斷電壓:... | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:.. | 最大耗散功率:.. | 低頻跨導:..

    • ≥1000 個

      ￥0.30

    • 詢 價

    • IR場效應管 IRF630NPBF

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3 | 開啟電壓:200 | 低頻噪聲系數:0

    • 100-499 個

      ￥1.50

    • 500-999 個

      ￥1.30

    • ≥1000 個

      ￥1.25

    • 詢 價

    • 『實體』 IRF630NS N溝道 200v 9A SOT-263 貼片 IR環保

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

    • 500-1999 個

      ￥1.90

    • 2000-19999 個

      ￥1.80

    • ≥20000 個

      ￥1.70

    • 詢 價

    • IRF630 場效應管 晶體管

      品牌:CH | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • 10-100 個

      ￥3.50

    • 101-1000 個

      ￥3.00

    • ≥1001 個

      ￥2.45

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    • IRF630B代用10N20C

      品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:IRF630B代用10N20C | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220 | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大

    • 詢 價

    • IRF630N 場效應管 MOSFET 200V 9.5A TO-220

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥1 個

      ￥1.15

    • 詢 價

    • IRF630NPBF 50只/管

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥500 個

      ￥1.03

    • 詢 價

    • IRF630NPBF場效應管,億瑞電子

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:0.25 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:200 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

    • ≥100 個

      ￥1.70

    • 詢 價

    • IRF630B Fairchild仙童，億瑞電子

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:350 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

    • ≥50 個

      ￥1.50

    • 詢 價

    • 場效應管IRF630,IRF640

      品牌:IR等各進口廠家 | 型號:全新及拆機IRF632，IRF631，IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥100 個

      ￥0.30

    • 詢 價

    • I IRF1018ESPBF IRF1018EPBF

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1018ESPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:630 | 最大耗散功率:110

    • ≥10 個

      ￥1.00

    • 詢 價

    • 場效應管IRF630 IRF630N

      類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 用途:CC/恒流 | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:1 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1

    • ≥100 個

      ￥3.00

    • 詢 價

    • 場效應管IRF630NPBF

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1

    • ≥100 個

      ￥3.00

    • 詢 價

    • IRF630FP

      品牌:ST/意法 | 型號:IRF630FP | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220F | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大

    • 詢 價

    • IRF630

      品牌:ST/意法 | 型號:IRF630 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220 | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大

    • 詢 價