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品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF630PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 開啟電壓:200

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF630PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840B IRF830B IRF730B IRF740B IRF630B IRF640B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.5 | 跨導:10 | 開啟電壓:200 | 夾斷電壓:350 | 低頻噪聲系數:0.8 | 極間電容:0.6 | 最大耗散功率:82

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:200000 | 跨導:1 | 開啟電壓:12 | 夾斷電壓:25 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:IR/FSC | 型號:IRF510 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 產品類型:其他 | 針腳數:- | 工作溫度范圍:-

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:irf630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRFS630A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF540 IRF630 IRF640 IRF650 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 跨導:vgs | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數:0.25 | 極間電容:. | 最大耗散功率:82w

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640，IRF630B，IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:n | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

種類:場效應管 | 品牌:進口 | 型號:IRF540