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  1. irf630場(chǎng)效應(yīng)管

    • 場(chǎng)效應(yīng)管IRF630,IRF634

      品牌:IR，F(xiàn)airchild，ST | 型號(hào):IRF630，IRF634，IRF640，IRF650 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開(kāi)啟電壓:2.5 | 夾斷電壓:250 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

    • 100-999 個(gè)

      ￥0.25

    • ≥1000 個(gè)

      ￥0.20

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    • 100%IRFS630B IRF630 TO-220F

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRFS630 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥1000 個(gè)

      ￥1.10

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    • 場(chǎng)效應(yīng)管IRF640[進(jìn)口]

      品牌:IR ST | 型號(hào):IRF640 IRF630 IRF540 IRF530 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:.. | 開(kāi)啟電壓:... | 夾斷電壓:... | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:.. | 最大耗散功率:.. | 低頻跨導(dǎo):..

    • ≥1000 個(gè)

      ￥0.30

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    • IR場(chǎng)效應(yīng)管 IRF630NPBF

      品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF630N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3 | 開(kāi)啟電壓:200 | 低頻噪聲系數(shù):0

    • 100-499 個(gè)

      ￥1.50

    • 500-999 個(gè)

      ￥1.30

    • ≥1000 個(gè)

      ￥1.25

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    • IRF630 場(chǎng)效應(yīng)管 晶體管

      品牌:CH | 型號(hào):IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • 10-100 個(gè)

      ￥3.50

    • 101-1000 個(gè)

      ￥3.00

    • ≥1001 個(gè)

      ￥2.45

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    • IRF630NPBF 50只/管

      品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥500 個(gè)

      ￥1.03

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    • IRF630NPBF場(chǎng)效應(yīng)管,億瑞電子

      品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):1 | 最大漏極電流:0.25 | 開(kāi)啟電壓:2 | 夾斷電壓:200 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

    • ≥100 個(gè)

      ￥1.70

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    • IRF630B Fairchild仙童，億瑞電子

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):1 | 最大漏極電流:1 | 開(kāi)啟電壓:20 | 夾斷電壓:350 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

    • ≥50 個(gè)

      ￥1.50

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    • 場(chǎng)效應(yīng)管IRF630,IRF640

      品牌:IR等各進(jìn)口廠家 | 型號(hào):全新及拆機(jī)IRF632，IRF631，IRF630 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥100 個(gè)

      ￥0.30

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    • 場(chǎng)效應(yīng)管 ”IRF630

      品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF630PBF★★信譽(yù)，無(wú)可替代的財(cái)富!供應(yīng)IC三極管全新原裝正品★★ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 夾斷電壓:200V

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    • 場(chǎng)效應(yīng)管IRF630N功放管電話秒發(fā)

      品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:- | 低頻噪聲系數(shù):- | 極間電容:-

    • 50-99 個(gè)

      ￥2.10

    • ≥100 個(gè)

      ￥2.00

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    • IRF630NS

      品牌:IR | 型號(hào):IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥50 個(gè)

      ￥5.00

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    • IRF630 IRF640 IRF630PBF IRF640PBF MOS

      品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRF640 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥50 個(gè)

      ￥1.50

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    • IRF630N

      品牌:IR | 型號(hào):IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

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