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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN338P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF3N80C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:** | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:** | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:** | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 應用范圍:開關

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSS7N60A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:STP3NB60FP | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:2 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP50N06 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:50 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:60 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP13N50C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA9N90 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:9 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:900 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:600 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:600 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF13N50C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:13 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:500 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSH45N20A | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:800 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:4 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:放大

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQU2N65C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-251/TO220/SOT252 | 產品性質:優勢 | 營銷方式:原廠直銷 | 批號:全新