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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:全系列 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 產品類型:其他

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA70N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:2011 | 封裝:TO-3P

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:7N60 | 功率:1 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝:TO-220 | 批號:14+ | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:BF246B. | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 類型:其他IC | 批號:來電查詢 | 封裝:TO-92

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:5L0365R 5M0365R | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 產品類型:其他 | 針腳數:- | 工作溫度范圍:-

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD6030BL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他 | 批號:2014+ | 封裝:SOT252

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF7N65C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他 | 批號:2013+ | 封裝:TO-220F

類型:其他IC | 品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:5N60 | 封裝:TO-251 | 批號:最新年份

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDV301N/FDV302P/FDV303N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 類型:其他IC | 批號:以實物為準 | 封裝:sot23

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FSDH321 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 批號:10+ | 產品類型:其他 | 封裝:DIP-8

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDS8433A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物，MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 批號:2010+ | 封裝:SOP8

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF3N80C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:** | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:** | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:** | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 應用范圍:開關

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA13N80C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導體 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:** | 跨導:** | 開啟電壓:** | 夾斷電壓:** | 低頻噪聲系數:** | 極間電容:** | 最大耗散功率:** | 應用范圍:放大

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:5N60 | 處理器速度:22 | 存儲容量:22 | 電源電流:22 | 電源電壓:22 | 功率:22 | 頻率:22 | 驅動芯片類型:22 | 針腳數:3 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 最大漏極電流:22 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數:22

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:STP3NB60FP | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:2 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP50N06 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:50 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:60 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP13N50C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA9N90 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:9 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:900 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:600 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:600 | 應用范圍:放大