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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBFJ113 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N 溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:貼片型 | 應用范圍:開關

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDS4559 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 備注:參數請詳詢

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQT5P10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF840B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Federick美國 | 型號:FQP50N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.1 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:500 | 最大耗散功率:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS352P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:-0.85A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS352AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:-0.9A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS0610 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDC631N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.6W | 最大漏極電流ID:4.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBFJ270 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P 溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.225W | 最大柵漏電壓VGDS:-30V | 漏極電流IDSS:-2~-15mA

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBFJ112 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.35W | 最大柵漏電壓VGDS:35V | 漏極電流IDSS:5mA

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBF4391 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.35W | 最大柵漏電壓VGDS:30V | 漏極電流IDSS:50~150mA

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUFA76413D3S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN336P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN359AN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:2.7A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDG313N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC653N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:BSS138 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDT451AN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:3W | 最大漏極電流ID:7.2A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS335N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道