品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:12N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:常規(guī) | 低頻噪聲系數(shù):常規(guī) | 極間電容:常規(guī)
≥100 個
￥3.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:12N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:常規(guī) | 低頻噪聲系數(shù):常規(guī) | 極間電容:常規(guī)
≥100 個
￥3.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA6N90 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1000 個
￥2.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:KSC5803 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率
≥100 個
￥5.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:BF246B. | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 類型:其他IC | 批號:來電查詢 | 封裝:TO-92
≥1000 個
￥2.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD6030BL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他 | 批號:2014+ | 封裝:SOT252
≥1000 個
￥0.35
類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:5N60 | 處理器速度:22 | 存儲容量:22 | 電源電流:22 | 電源電壓:22 | 功率:22 | 頻率:22 | 驅(qū)動芯片類型:22 | 針腳數(shù):3 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 最大漏極電流:22 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數(shù):22
≥1 個
￥0.70
品牌:IR.SEC.仙童 | 型號:IRF73.IRF730A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥500 個
￥0.45
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FSFR1700 FSFR1800 FSFR2100 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:SIP
≥1 個
￥9.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDL100N50F | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥100 個
￥30.00