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    • MOS場效應管 2SK3561+MOS場效應管 K3561+MOS場效應管

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3561 K3561 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22

    • ≥1 個

      ￥1.40

    • 詢 價

    • 場效應管TK15A60D K15A60D

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K15A60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

    • 100-999 個

      ￥4.00

    • ≥1000 個

      ￥3.00

    • 詢 價

    • 管2SK3416 2SK2555 P0403BDG

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3416 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5

    • ≥50 個

      ￥0.01

    • 詢 價