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- 進口東芝場效應管 2SK30ATM-GR
  
  品牌:ON/安森美 | 型號:2SK30ATM-GR | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10000 個
  
  ￥1.45
- 詢價
- K2611 原字場效應管 mos 焊機用
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K2611 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | to-3p:150W | 9A:900v | N溝道:焊機用
  
  相產產品： mos場效應管 mos拆機 k2611場效應管
- 10-49 個
  
  ￥3.50
- 50-299 個
  
  ￥3.20
- ≥300 個
  
  ￥2.80
- 詢價
- TOS東芝2SK4108、2SK4108
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4108 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-247
- ≥50 個
  
  ￥5.45
- 詢價
- TOS東芝2SK4111、2SK4111
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4111 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220F
- ≥50 個
  
  ￥2.60
- 詢價
- 東芝進口開關電源MOS管 K8A65D
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K8A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
- ≥5000 個
  
  ￥1.65
- 詢價
- 2SK1120 高壓場效應東芝 1000V 7A 150W
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1120.2SK1359 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥2 個
  
  ￥3.00
- 詢價
- 東芝MOS管K1117 2SK1117
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1117 2SK1117 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:標準 | 最大漏極電流:6A | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:低 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:100W
- 100-999 個
  
  ￥0.50
- ≥1000 個
  
  ￥0.40
- 詢價
- TOS 2SK2917 場效應 TO-3PF
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2917 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個
  
  ￥5.00
- 詢價
- 2SK2601 場效應 TOS TO-3P
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2601 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個
  
  ￥5.00
- 詢價
- 東芝進口場效應管 K6A65D
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K6A65D | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥5000 個
  
  ￥6.00
- 詢價
- 進口開關電源MOS管場效應管 TK6A65D
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK6A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
- ≥5000 個
  
  ￥1.70
- 詢價
- 東芝進口開關電源MOS管場效應管 TK20A60T
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK20A60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
- ≥5000 個
  
  ￥4.00
- 詢價
- TOSHIBA高壓MOS管 2SK2837
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK2837 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道
- ≥5000 個
  
  ￥2.50
- 詢價
- 場效應管K2640
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2640 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥100 個
  
  ￥0.90
- 詢價
- 東芝場效應管GT60M303
  
  類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT60M303 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n
- ≥50 個
  
  ￥5.00
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- 2SK3878，2SK3878，2SK2611，TOS
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3878代替2SK2611 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:原廠規格 | 跨導:原廠規格 | 開啟電壓:原廠規格 | 夾斷電壓:原廠規格 | 低頻噪聲系數:原廠規格 | 極間電容:原廠規格 | 最大耗散功率:原廠規格
- ≥1 個
  
  ￥0.10
- 詢價
- 2SK1527 K1527
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1527 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220
- ≥1 個
  
  ￥0.10
- 詢價
- 2SK4107
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4107 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
- ≥1 個
  
  ￥1.00
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- 進口場效應管 K12A60U
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K12A60U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
- ≥5000 個
  
  ￥1.65
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- 進口場效應管 2SK3568
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3568 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
- ≥5000 個
  
  ￥2.20
- 詢價