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- TOS 2SK4107 場效應(yīng) TO-3P
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK4107 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢價(jià)
- 2SK2837 K2837 場效應(yīng)管TO-3P 進(jìn)口
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2837 K2837 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:20 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:3720
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管K2611 2SK2611 K2837
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2611 2SK2611 K2837 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 擊穿電壓VCBO:V | 集電極最大允許電流ICM:A | 截止頻率fT:MHZ
- ≥2000 個(gè)
  
  ￥1.20
- 詢價(jià)
- TOS 2SK1745 場效應(yīng) TO-3P
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1745 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢價(jià)
- K2845,進(jìn)口三極管全系列,2Sk2845，,17%票
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2845，進(jìn)口三極管全系列，2Sk2845，現(xiàn)貨 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MAP/匹配對(duì)管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 關(guān)斷速度:A | 最大穩(wěn)定工作電流:. | 極數(shù):其他
- 詢價(jià)
- 東芝系列場效應(yīng)MOS管 K2718 2SK2718 TO220F
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2718 2SK2718 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 集電極最大耗散功率PCM:40 | 集電極最大允許電流ICM:2.5 | 封裝形式:直插型
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥2.20
- 詢價(jià)
- 東芝MOS 管2sk2843 TO-220F 封裝
  
  類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2843 | 用途:A/寬頻帶放大 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:1 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- 詢價(jià)
- 2SK2648 場效應(yīng)管
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2sk2648 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:11 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
- 1500-4999 個(gè)
  
  ￥1.40
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥1.30
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- 場效應(yīng)管TK13A65U K13A65U談
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K13A65U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- 10-999 個(gè)
  
  ￥4.00
- 1000-1999 個(gè)
  
  ￥3.50
- ≥2000 個(gè)
  
  ￥3.45
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管TK13A60D K13A60D無鉛
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TK13A60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn)
- 1-999 個(gè)
  
  ￥3.00
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥2.80
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管TK15A60D K15A60D
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K15A60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- 100-999 個(gè)
  
  ￥4.00
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥3.00
- 詢價(jià)
- 2SK3568 MOSFET TO-220F 場效應(yīng)管 TOSHIBA 東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK3568 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.82
- 詢價(jià)
- 東芝場效應(yīng)管2SK4107 2SK2837 2SK2611 2SK3878
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2837 2SK4107 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:15000 | 低頻噪聲系數(shù):28 | 極間電容:2
- 5000-9999 個(gè)
  
  ￥3.80
- 10000-49999 個(gè)
  
  ￥3.70
- ≥50000 個(gè)
  
  ￥3.60
- 詢價(jià)
- 量 K1940 場效應(yīng)管
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):k1940 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:30 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:300 | 夾斷電壓:300 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.25
- 詢價(jià)
- 2SK3376TT-B
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK3376TT-B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 批號(hào):08+ | 是否提供加工定制:是 | 封裝:SOT0423
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 普通三極管2SC2073 C2073
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):C2073 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：普通三極管 2sc2073三極管 c2073三極管
- 500-999 個(gè)
  
  ￥0.20
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.18
- 詢價(jià)
- 2SK4107
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK4107 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
- ≥1 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- K3869場效應(yīng)管 MOSFET MOS管 TO-220F 東芝TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K3869 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥10 個(gè)
  
  ￥2.50
- 詢價(jià)
- K2611 2sk2611 場效應(yīng)管
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K2611 2SK2611 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:11 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
- 100-999 個(gè)
  
  ￥2.50
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥2.40
- 詢價(jià)
- 東芝/TOS 場效應(yīng)管2SK2611、K2611
  
  類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):東芝TOSHIBA | 用途:DIFF/差分放大 | 最大漏極電流:- | 跨導(dǎo):- | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:- | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:- | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):- | 極間電容:- | 最大耗散功率:-
- 詢價(jià)