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    • 2SK211-Y/調諧 高頻放大/N溝道結型場效應管JFET/SOT-23/TOSHIBA

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK211-Y | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大柵漏電壓VGDS:-18V | 漏極電流IDSS:2.5~6mA

    • ≥3000 個

      ￥0.85

    • 詢 價

    • TOS東芝2SK4108、2SK4108

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4108 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-247

    • ≥50 個

      ￥5.45

    • 詢 價

    • TOS東芝2SK4111、2SK4111

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4111 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220F

    • ≥50 個

      ￥2.60

    • 詢 價

    • TK6A65D

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TK6A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:TO-220F

    • ≥100 千克

      ￥2.00

    • 詢 價

    • K2845,進口三極管全系列,2Sk2845，,17%票

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2845，進口三極管全系列，2Sk2845，現貨 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 關斷速度:A | 最大穩定工作電流:. | 極數:其他

    • 詢 價

    • 東芝MOS 管2sk2843 TO-220F 封裝

      類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2843 | 用途:A/寬頻帶放大 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:1 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

    • 詢 價

    • 高壓場效應管k2402，2sk2402，東芝，6年通會員

      類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:k2402，2sk2402 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

    • 詢 價

    • 2SK3567場效應管

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3567 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:600 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:3.5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:放大

    • ≥1 PCS

      ￥1.00

    • 詢 價

    • 場效應管，MOS管，TK13A60D

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK13A60D | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:09+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO-220F

    • ≥5 PCS

      ￥2.50

    • 詢 價