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    • 進口 東芝場效應管 2SK30ATM-GR

      品牌:ON/安森美 | 型號:2SK30ATM-GR | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥10000 個

      ¥1.45

    • 詢 價
    • 進口 東芝場效應管 K30A-GR

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K30A-GR | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應用范圍:放大

    • ≥5000 個

      ¥1.45

    • 詢 價
    • 東芝進口 開關電源 場效應管 TK8A65D

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK8A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

    • ≥5000 個

      ¥1.65

    • 詢 價
    • 場效應管TK15A60U TK20A60U

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK15A60U TK20A60U | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:DIP

    • ≥5 個

      ¥0.45

    • 詢 價
    • 2SK3568 進口 TOSHIBA

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3568 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥10 個

      ¥2.30

    • 詢 價
    • 2SK3569 進口TOSHIBA

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥10 個

      ¥1.90

    • 詢 價
    • 東芝進口 開關電源MOS管 K8A65D

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K8A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

    • ≥5000 個

      ¥1.65

    • 詢 價
    • 主推 東芝場效應管2SK3878

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • 10-99 個

      ¥4.00

    • 100-499 個

      ¥3.70

    • ≥500 個

      ¥3.60

    • 詢 價
    • TK6A65D

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TK6A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:TO-220F

    • ≥100 千克

      ¥2.00

    • 詢 價
    • TOS 2SK4107 場效應 TO-3P

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4107 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

    • ≥1 個

      ¥5.00

    • 詢 價
    • TOS 2SK3878 場效應 TO-3P

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥1 個

      ¥5.50

    • 詢 價
    • 三極管 SSM3K15FS SSM3K15FU

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K15FS SSM3K15FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 備注:DO-207 | 產品類型:MOS管 | 是否進口:是

    • ≥10 千克

      ¥0.20

    • 詢 價
    • TOSHIBA東芝MOS場效應管 2SK3562 K3562

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3562 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥1 個

      ¥2.00

    • 詢 價
    • MOS場效應管 2SK3561+MOS場效應管 K3561+MOS場效應管

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3561 K3561 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22

    • ≥1 個

      ¥1.40

    • 詢 價
    • 2SK2837 K2837 場效應管TO-3P 進口

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2837 K2837 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:20 | 低頻噪聲系數:2 | 極間電容:3720

    • ≥1 個

      ¥0.10

    • 詢 價
    • 3PL大管,GT50M101上機

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT50M101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1000 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10

    • ≥5 個

      ¥2.00

    • 詢 價
    • 2SK3934 Toshiba/東芝 場效應管 500V 15A

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3934 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥10 個

      ¥3.50

    • 詢 價
    • TOS場效應管 2SK170 K170 2SJ74 J74 TO92 原產并非國產

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK170 2SK170-BL K170 2SJ74 J74 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 封裝:TO-92 | 應用范圍:放大

    • ≥10 個

      ¥2.35

    • 詢 價