品牌:ON/安森美 | 型號:2SK30ATM-GR | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10000 個
¥1.45
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K30A-GR | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應用范圍:放大
≥5000 個
¥1.45
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK8A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
≥5000 個
¥1.65
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K2611 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | to-3p:150W | 9A:900v | N溝道:焊機用
10-49 個
¥3.50
50-299 個
¥3.20
≥300 個
¥2.80
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK15A60U TK20A60U | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:DIP
≥5 個
¥0.45
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3568 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥2.30
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥1.90
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K8A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
≥5000 個
¥1.65
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個
¥4.00
100-499 個
¥3.70
≥500 個
¥3.60
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4107 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥5.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥5.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K15FS SSM3K15FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 備注:DO-207 | 產品類型:MOS管 | 是否進口:是
≥10 千克
¥0.20
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3562 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥2.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3561 K3561 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22
≥1 個
¥1.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2837 K2837 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:20 | 低頻噪聲系數:2 | 極間電容:3720
≥1 個
¥0.10
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT50M101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1000 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10
≥5 個
¥2.00
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3934 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥3.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK170 2SK170-BL K170 2SJ74 J74 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 封裝:TO-92 | 應用范圍:放大
≥10 個
¥2.35
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK2699 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:33 | 最大漏極電流:33 | 開啟電壓:33
≥1 個
¥1.00