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    • 進口 東芝場效應管 2SK30ATM-GR

      品牌:ON/安森美 | 型號:2SK30ATM-GR | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥10000 個

      ￥1.45

    • 詢 價

    • 進口 東芝場效應管 K30A-GR

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K30A-GR | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應用范圍:放大

    • ≥5000 個

      ￥1.45

    • 詢 價

    • 東芝進口　開關電源 場效應管 TK8A65D

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK8A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

    • ≥5000 個

      ￥1.65

    • 詢 價

    • 3SK232/調諧器 RF放大/N溝道增強型場效應管MOS/SOT-143

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK232 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:TUN/調諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:12.5V

    • ≥3000 個

      ￥0.70

    • 詢 價

    • 3SK199/TV調諧 RF放大/N溝道增強型場效應管MOS/SOT

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK199 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TV/電視 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:13.5V | 應用范圍:放大

    • ≥3000 個

      ￥0.70

    • 詢 價

    • 2SK211-Y/調諧 高頻放大/N溝道結型場效應管JFET/SOT-23/TOSHIBA

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK211-Y | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大柵漏電壓VGDS:-18V | 漏極電流IDSS:2.5~6mA

    • ≥3000 個

      ￥0.85

    • 詢 價

    • 2SK1875/高頻 音頻放大/N溝道 結型場效應管JFET/SOT-323

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1875 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大柵漏電壓VGDS:-20V | 漏極電流IDSS:16~32mA

    • ≥3000 個

      ￥1.20

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    • 場效應管TK80E08/TK80E06

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK80E08 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220

    • ≥5 個

      ￥2.00

    • 詢 價

    • 2SK3568 進口 TOSHIBA

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3568 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥10 個

      ￥2.30

    • 詢 價

    • 2SK3569 進口TOSHIBA

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥10 個

      ￥1.90

    • 詢 價

    • TOS東芝2SK4108、2SK4108

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4108 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-247

    • ≥50 個

      ￥5.45

    • 詢 價

    • TOS東芝2SK4111、2SK4111

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4111 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220F

    • ≥50 個

      ￥2.60

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    • SSM6E01TU/復合場效應管MOSFET N+P溝道 SOT-363/TOSHIBA

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6E01TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | Nch MOSFET參數:Vds=20V，Id=0.05A | 最大耗散功率PD:0.5W | Pch MOSFET參數:Vds=-12V，Id=-1A

    • ≥3000 個

      ￥0.55

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