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品牌:士蘭微全系列MOS | 型號(hào):SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):13+ | 封裝:TO-220

種類:場效應(yīng)管 | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXFB70N60Q2

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TK2P60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 產(chǎn)品類型:功率二極管 | 是否進(jìn)口:是 | 加工定制:否

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXGH40N60B2 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P/TO-247 | 種類:場效應(yīng)管 | 溝道類型:其他

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXFX52N60Q2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:WG/華晶 | 型號(hào):2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅(qū)動(dòng)IC | 批號(hào):12+原裝ROHS | 封裝:TO-251

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SPP07N60C2 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

功率:- | 輸入電壓:- | 輸出電壓:- | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 型號(hào):FQPF13N50C FQPF18N50 FQPF18N50V2 FQPF2N60C | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 用途:AM/調(diào)幅 | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

品牌:KTP | 型號(hào):KTP2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 極性:NPN型 | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD2HNK60Z-1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號(hào):SSP2N60B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號(hào):FQPF2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXY美國電報(bào)半導(dǎo)體 | 型號(hào):IXFX52N60Q2 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 最大漏極電流:52 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:FSC/仙童 | 型號(hào):FQU2N60C/FQD2N60C/FQPF2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):場效應(yīng) | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:江蘇東光 | 型號(hào):2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:KXY | 型號(hào):2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝外形2:TO-252

品牌:龍晶微 | 型號(hào):2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道