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類型:其他IC | 品牌:. | 型號:2N60 | 用途:AM/調幅 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:. | 材料:P-FET硅P溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60F | 溝道類型:其他 | 類型:通信IC | 批號:10+ | 封裝:TO220F

品牌:ST/三星 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP038AN06A0 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:80 | 跨導:1 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:10 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:2

類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRF634B | 功率:11 | 用途:錄像機 | 封裝:TO-220 | 批號:11+

品牌:進口 | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:MA | 跨導:1 | 開啟電壓:650 | 夾斷電壓:650 | 低頻噪聲系數:DB | 極間電容:PS | 最大耗散功率:MW

品牌:SL士蘭微電子 | 型號:SVF2N60 SVF2N60M SVF2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQU2N60 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:1 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF130，IRF131，IRF9130，IRF9230 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:VA/場輸出級 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:ST/意法 | 型號:STD2NB60-1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:2600 | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:600 | 最大耗散功率:50000

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:02N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:2 | 封裝:TO252

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:華晶 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:SEMIHOW | 型號:HFU2N60U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2 | 跨導:10 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:1200 | 低頻噪聲系數:0.5 | 極間電容:0.3 | 最大耗散功率:23

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2 | 跨導:16 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數:2.6 | 極間電容:2.3 | 最大耗散功率:54

品牌:Vishay/威世通 | 型號:30CTQ060PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:30 | 跨導:10 | 開啟電壓:60 | 夾斷電壓:100 | 低頻噪聲系數:3 | 極間電容:2 | 最大耗散功率:456

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STD2NC60 | 用途:S/開關 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:1 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:進口 | 型號:2N60，3N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:/ | 跨導:/ | 開啟電壓:/ | 夾斷電壓:/ | 低頻噪聲系數:/ | 極間電容:/ | 最大耗散功率:/