品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 批號:15+ | 是否提供加工定制:是 | 封裝:TO-220
≥1000 個
￥0.68
品牌:美格納 | 型號:MDF2N60TH | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
品牌:TRUESEMI/信安 | 型號:TSU2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
￥0.69
品牌:其他 | 型號:TSF2N60M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SENSEFET電流敏感
≥100 個
￥0.76
品牌:CHENMKO | 型號:2n7002s | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.35W | 最大漏極電流ID:0.25A | 最大源漏電壓VDSS:60V
≥3000 個
￥0.40
品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:2N7002K | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
￥0.16
品牌:ON/安森美 | 型號:2N7002LT1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:0.115A | 最大源漏電壓VDSS:60V
≥3000 個
￥0.16
品牌:ON/安森美 | 型號:2N7002EPT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
￥0.15
品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:2N7002F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.83W | 最大漏極電流ID:0.475A | 最大源漏電壓VDSS:60V
≥3000 個
￥0.16
品牌:TRUESEMI/信安 | 型號:TSD2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:MES金屬半導體
≥100 個
￥0.74
品牌:TRUESEMI | 型號:2SK2865/TSU2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型
品牌:TRUESEMI | 型號:STD2NK60/TSD2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
品牌:TRUESEMI | 型號:FQU2N60/TSU2N60M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
品牌:TRUESEMI | 型號:FQP2N60/TSF2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
品牌:TRUESEMI | 型號:IRFR2N60A/TSD2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
品牌:TRUESEMI | 型號:FQD2N60/TSD2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
品牌:TRUESEMI | 型號:TSD2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 批號:11+ | 封裝:TO-220F