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品牌:X | 型號:2N7002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:280 | 開啟電壓:60

類型:其他IC | 品牌:HS | 型號:2n60IA | 封裝:TO-251 | 批號:11+

品牌:TRUESEMI | 型號:TSD2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:TRUESEMI | 型號:TSP/F2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:sxw | 型號:2n60 | 種類:配件組件 | 額定電壓:600（V） | 額定電流:2（A） | 接觸電阻:0（Ω） | 絕緣電阻:0（MΩ） | 產品性質:新品 | 營銷方式:廠家直銷 | 營銷價格:優惠 | 加工定制:否

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:ISL9R460P2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導:5 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5

品牌:進口 | 型號:1N60，2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:. | 最大漏極電流:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:ST/意法 | 型號:2N60 1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK3435 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | ID:80A | VDSS:60V | RDS(ON):14mΩ

品牌:士蘭原裝正品 | 型號:SVD2N60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準

品牌:MagnaChip美格納 | 型號:MDF2N60TH | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC

品牌:MAGNACHIP | 型號:MDP2N60TH MDF2N60TH | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:svd2n60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:10 | 封裝:TO220F TO220

類型:其他IC | 品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:10n60 | 功率:1 | 封裝:to-220f | 批號:2011

品牌:Federick美國 | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:*

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPA60R380E6 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:11 | 跨導:12 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:12 | 低頻噪聲系數:11 | 極間電容:12 | 最大耗散功率:11

品牌:長電 | 型號:CJU02N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:CHENMKO | 型號:2N7002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.35W | 最大漏極電流ID:0.25A | 最大源漏電壓VDSS:60V